传感器技术是现代测量和自动化系统中的关键技术之一。几乎所有的技术领域都依赖于传感器，无论是宇宙开发还是海底勘探，无论是生产过程控制还是现代生活，传感器都发挥着重要作用。多个国家对传感器技术的发展高度重视，例如，六大中心技术(计算机、通信、激光、半导体、超导和传感器)中，日本将传感器技术列为其中之一。因此，任何从事现代测量和自动控制的技术人员都有必要了解和熟悉压力传感器的演进过程。

以半导体传感器的发明为标志，现代压力传感器的发展可划分为四个阶段：

1. 发明阶段(1945-1960年)

这个阶段的关键事件是1947年双极晶体管的发明。自那时起，半导体材料的电性质被广泛应用。1945年，C.S.Smith发现了硅和锗的压阻效应，即当外力施加到半导体材料上时，电阻会显著变化。基于这个原理，压力传感器通过将应变电阻粘贴在金属薄膜上制造，将力信号转换为电信号进行测量。

2. 技术发展阶段(1960-1970年)

随着硅扩散技术的发展，技术人员将应变电阻直接扩散到硅晶面上，选择了硅的(110)或(001)晶向，形成了薄而有弹性的硅膜片，然后在背面进行凹形加工，形成硅杯。这种硅杯传感器具有体积小、稳定性好、成本低、重量轻、灵敏度高、易于集成等优点。金属硅共晶的实现为商业化开发提供了可能。

3. 商业化集成加工阶段(1970-1980年)

基于硅杯扩散理论，采用了硅的各向异性腐蚀技术。扩散硅传感器已发展成为一种可以自动控制硅膜厚度的硅各向异性加工技术，其中加工技术主要集中在硅的各种各向异性腐蚀技术上。这些技术包括V型槽法、浓硼自动中止法、阳极氧化自动中止法和微机控制自动中止法。由于可以同时在多个表面进行腐蚀，数千个硅压力膜可以同时生产，实现了集成化的工厂加工模式，进一步降低了成本。

4. 微机械加工阶段(1980年至今)

上世纪末纳米技术的出现使微加工成为可能。通过微加工过程，压力传感器的结构可以通过计算机控制进行加工，其线性度可以控制在微米范围内。利用这项技术，压力传感器进入了微米级阶段，可以加工和蚀刻微米级的沟槽、条纹和膜片。

在各种传感器中，压力传感器广泛应用于压力、高度、加速度、液体流量、气体流量、液位和压强的测量和控制。它具有体积小、稳定可靠、成本低、重量轻、灵敏度高、易于集成等优点。压力传感器已成为各类传感器中稳定性高、性价比优越、技术成熟的产品。

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